本書是圍繞電子裝聯(lián)企業(yè)的崗位需求，以電子裝聯(lián)生產(chǎn)工藝順序為主線設計典型工作任務，并結合電子信息制造業(yè)最新發(fā)展成果而編寫的理實一體化新形態(tài)教材。全書共包含裝聯(lián)準備、手工焊接與返修、表面貼裝元器件自動裝聯(lián)、通孔元器件自動裝聯(lián)、基板裝聯(lián)、先進裝聯(lián)技術六個模塊。 本書配套提供豐富的數(shù)字化教學資源，包括教學課件、微課、操作視頻、

本書內(nèi)容從半導體相關基礎知識入手，首先介紹半導體的物理特性，以及與其相關的晶體、原子、能帶理論、空穴、摻雜等基本概念；再從晶體管入手，講述晶體管的結構、工作原理、制備工藝，以及集成電路的相關知識；最后，落地到應用，介紹了半導體器件的使用和具體的應用電路，以及半導體器件參數(shù)和等效電路。由于半導體技術涉及材料、微電子、電子

本書內(nèi)容以實用性為出發(fā)點，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導體的原理、制造工藝、特性表征、市場現(xiàn)狀以及針對關鍵應用的設計方法。針對GaN器件，從材料特性、芯片設計、制造工藝和外特性各方面深入分析，介紹了仿真手段和各種典型應用，最后還介紹了目前主流的技術和GaN公司。

本書針對后摩爾時代集成電路產(chǎn)業(yè)日益嚴重的功耗問題，介紹芯片功耗、工作電壓和場效應晶體管亞閾值特性的關系，并通過解析鐵電負電容場效應晶體管陡峭亞閾值特性工作機理，闡明鐵電負電容場效應晶體管技術對于突破后摩爾時代功耗瓶頸的關鍵作用。

本書從光刻機到下一代光刻技術，從光刻膠材料到多重圖形化技術，全面剖析每一步技術革新如何推動半導體產(chǎn)業(yè)邁向納米級精細加工的新高度。本書共6篇19章，內(nèi)容包括光刻機、激光光源、掩膜技術、下一代光刻技術發(fā)展趨勢、EUV光刻技術、納米壓印光刻技術、電子束刻蝕技術與設備開發(fā)、定向自組裝（DSA）技術、光刻膠材料的發(fā)展趨勢、化學增

本書首先簡要闡述近年來新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件內(nèi)涵、特點、研究意義與國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，使讀者對新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件有一個宏觀把握和大致了解:接著對影響新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件總體設計方案的多種外界約束條件和性能指標進行分析;然后重點論述新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件總體情況與發(fā)展趨勢，并分別詳細論述

本書綜合了近幾年工業(yè)界的最新進展和學術界的最新研究成果，詳細介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢、特性及測試方法、應用技術和各應用領域的方案。本書共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導體器件基礎，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對比，雙脈沖測試技術，SiC器件的測試

《薄膜晶體管材料與技術》是戰(zhàn)略性新興領域“十四五”高等教育教材體系——“先進功能材料與技術”系列教材之一。本書歸納薄膜晶體管（TFT）材料、器件及制備技術，總結和梳理TFT相關的基礎理論知識，包括材料物理與化學、器件物理、工藝原理以及實際應用設計原理，進一步提出新見解，為TFT技術的發(fā)展提供理論指導和方向參考。本書以T

氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場強，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領域應用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關系，且當前對大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結構與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實驗創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

IGCT具有通態(tài)壓降低、容量大、可靠性高、魯棒性好等有點，目前已應用在直流斷路器、模塊化多電平變換器、牽引系統(tǒng)變換器等應用場景。本書圍繞IGCT器件，分別展開介紹半導體物理基礎及工作原理、阻斷特性、開通與導通特性、關斷特性、封裝、驅(qū)動、可靠性及應用。同時，在各章中穿插IGCT的關鍵工藝技術，如深結推進、邊緣終端、質(zhì)子輻