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氮化鎵與碳化硅功率器件:基礎原理及應用全解
定 價:99 元
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作者:(意)毛里齊奧·迪保羅·埃米利奧(Maurizio Di Paolo Emilio)著
出版時間:2025/7/1
ISBN:9787122477545
出 版 社:化學工業(yè)出版社
中圖法分類:
TN303
頁碼:195頁
紙張:
版次:
開本:26cm
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內容簡介
本書內容以實用性為出發(fā)點,闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導體的原理、制造工藝、特性表征、市場現狀以及針對關鍵應用的設計方法。針對GaN器件,從材料特性、芯片設計、制造工藝和外特性各方面深入分析,介紹了仿真手段和各種典型應用,最后還介紹了目前主流的技術和GaN公司。
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