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"本書力求將芯片基礎(chǔ)知識理論與案例實(shí)踐融合在一起進(jìn)行詳細(xì)介紹。幫助讀者理解芯片相關(guān)多個(gè)模塊開發(fā)工作原理，同時(shí)兼顧了應(yīng)用開發(fā)的技術(shù)分析與實(shí)踐。本書包含大量翔實(shí)的示例和代碼片段，以幫助讀者平穩(wěn)、順利的掌握芯片開發(fā)技術(shù)。全書共10章，包括RISC-V技術(shù)分析；PCIE，存儲控制，以及總線技術(shù)分析；NPU開發(fā)技術(shù)分析；CUDA

本書共分7章，主要介紹SOI晶圓制備技術(shù)、SOI晶圓材料力學(xué)特性與結(jié)構(gòu)特性、機(jī)械致晶圓級單軸應(yīng)變SOI技術(shù)、高應(yīng)力氮化硅薄膜致晶圓級應(yīng)變SOI技術(shù)及其相關(guān)效應(yīng)、高應(yīng)力氮化硅薄膜致應(yīng)變SOI晶圓制備、晶圓級應(yīng)變SOI應(yīng)變模型、晶圓級應(yīng)變SOI應(yīng)力分布的有限元計(jì)算。

《晶圓級芯片封裝技術(shù)》主要從技術(shù)和應(yīng)用兩個(gè)層面對晶圓級芯片封裝（Wafer-LevelChip-ScalePackage，WLCSP）技術(shù)進(jìn)行了全面的概述，并以系統(tǒng)的方式介紹了關(guān)鍵的術(shù)語，輔以流程圖和圖表等形式詳細(xì)介紹了先進(jìn)的WLCSP技術(shù)，如3D晶圓級堆疊、硅通孔（TSV）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）和光電子應(yīng)用等，并著

本書結(jié)合電子電路制造行業(yè)特點(diǎn)和PCB產(chǎn)品特點(diǎn)，系統(tǒng)介紹PCB企業(yè)主要質(zhì)量管理活動(dòng)的相關(guān)理論和實(shí)踐案例，包括以“人”為中心的基礎(chǔ)質(zhì)量管理活動(dòng)和以“產(chǎn)品”為中心的核心質(zhì)量管理活動(dòng)，并介紹質(zhì)量管理未來的發(fā)展趨勢。本書共W個(gè)部分11章。第I部分介紹PCB行業(yè)狀況、PCB產(chǎn)品制造技術(shù)和質(zhì)量的相關(guān)知識。第n部分介紹pcb企業(yè)質(zhì)量戰(zhàn)

本書以MOS器件基礎(chǔ)，以電流源、單級放大器、差分放大器、運(yùn)算放大器、帶隙基準(zhǔn)以及LDO為重點(diǎn)，講解了模擬集成電路設(shè)計(jì)的基本理論。書中通過多個(gè)工程實(shí)例，詳細(xì)介紹了一些通用基本模塊的設(shè)計(jì)及仿真過程。主要內(nèi)容包括：模擬集成電路概論、Aether概述、Aether仿真與范例分析、MOS理論基礎(chǔ)與特性仿真、基準(zhǔn)電流源設(shè)計(jì)與仿真、

本書主要內(nèi)容涵蓋多核SoC芯片的基本組成和工作原理、多核SoC芯片的特點(diǎn)、多核SoC芯片設(shè)計(jì)的基本流程、多核SoC芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)、多核SoC芯片核間通信設(shè)計(jì)、多核SoC芯片功耗與散熱設(shè)計(jì)、多核SoC芯片測試與驗(yàn)證的基本流程和方法、多核SoC芯片安全性設(shè)計(jì)、多核SoC芯片在特定領(lǐng)域的應(yīng)用等。本書旨在深入探討多核SoC芯片設(shè)

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面對軟件和硬件在細(xì)節(jié)抽象上存在的巨大差異，為探索一條提高軟件定義芯片易用性和計(jì)算效率的有效途徑，本書提出一套通用的算子恢復(fù)技術(shù)，為高級語言程序和芯片硬件架起一座高效溝通的橋梁。本書系統(tǒng)地介紹了軟件定義芯片的概念、國內(nèi)外研究與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀、基本原理、需要研究的關(guān)鍵問題和研究平臺，深入闡述了編譯領(lǐng)域的多種指令選擇技術(shù)，又基于指