本書將半導(dǎo)體技術(shù)60多年的發(fā)展史濃縮在有限的篇幅里，通過簡明扼要的語言為我們講述關(guān)于芯片的那些事兒。本書主要圍繞“史前文明”——電子管時代、“新石器時代”——晶體管時代、“戰(zhàn)國時代”——中小規(guī)模集成電路時代、“大一統(tǒng)秦朝”——大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時代、“大唐盛世”——特大規(guī)模和巨大規(guī)模集成電路時代、“走進新時代”—

本書作為職業(yè)學(xué)院教材，主要講述了光伏組件制造的基本操作規(guī)范與準備工作、電池片的檢測、輔助材料的制備、電池片的焊接、劃片和疊層操作、層壓操作、裝框、清洗與固化、組件檢測與裝箱操作等內(nèi)容，希望通過理論教學(xué)，讓學(xué)生先從理論上掌握制造光伏組件的關(guān)鍵技術(shù)，然后再將理論與實際操作相結(jié)合，達到最終提升學(xué)生實際動手能力，提升學(xué)生就業(yè)能

氮化鎵作為寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表之一，在電學(xué)、光學(xué)、力學(xué)、抗輻照等方面均表現(xiàn)優(yōu)異。本書以作者近年來的研究成果為基礎(chǔ)，結(jié)合國際研究進展，系統(tǒng)介紹了寬禁帶氮化鎵凹槽陽極結(jié)構(gòu)的物理特性和實現(xiàn)方法，重點講述了氮化鎵凹槽陽極二極管器件。全書共分為8章，內(nèi)容包括緒論、凹槽陽極GaN肖特基結(jié)器件制備工藝、位錯免疫的凹槽陽極GaN肖特

本書力圖全面深入地介紹太陽能電池的原理、技術(shù)與應(yīng)用，為讀者提供一本兼具理論深度和實踐指導(dǎo)的權(quán)威之作。本書詳細闡釋了太陽能與太陽能電池的基本物理原理與特性，系統(tǒng)梳理了各類太陽能電池的發(fā)展脈絡(luò)，深入探討了太陽能電池的測試原理與分析方法，重點介紹了太陽能電池性能提升的前沿技術(shù)，進一步闡述了光伏發(fā)電系統(tǒng)的設(shè)計與應(yīng)用。

本書內(nèi)容主要內(nèi)容為概述、IGBT模塊電氣特性、驅(qū)動器設(shè)計、IGBT多器件驅(qū)動控制技術(shù)、驅(qū)動器可靠性設(shè)計、驅(qū)動器試驗及測試、大功率IGBT驅(qū)動器應(yīng)用案例。本書系統(tǒng)、深入地闡述了IGBT及其驅(qū)動器的技術(shù)發(fā)展等。

本書為《新興半導(dǎo)體》分冊。新興半導(dǎo)體發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動性強、節(jié)能潛力大，被公認為最有發(fā)展前景的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在消費類電子、5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本分冊圍繞新興半導(dǎo)體這一“核芯”領(lǐng)域，從高載流子遷移率半導(dǎo)體材料、憶阻半導(dǎo)體材料、新型紅外半導(dǎo)體材料及超寬禁帶半導(dǎo)體材料

本書以最新的科研成果為基礎(chǔ)，深入研究了新鐵電極化機制的滑移鐵電半導(dǎo)體。通過對大量實驗數(shù)據(jù)的分析和理論推導(dǎo)，揭示了滑移鐵電半導(dǎo)體的獨特性質(zhì)和應(yīng)用潛力。同時，結(jié)合國內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的研究進展，為讀者提供全面、系統(tǒng)的知識體系。本書通過對多層滑移鐵電半導(dǎo)體的深入研究，揭示了其獨特的鐵電極化翻轉(zhuǎn)模式，即鐵電極化在各層之間以逐層翻轉(zhuǎn)的

本書詳細介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設(shè)計所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應(yīng)的工程解決方案，主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設(shè)計及應(yīng)用、功率模塊優(yōu)化設(shè)計、功率模塊壽命評估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進評估技術(shù)、功率模塊退化監(jiān)測技術(shù)、功率模塊先進熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術(shù)等。本書所有章節(jié)均旨在提供關(guān)于多芯片S

"為了應(yīng)對我國在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴重落后于發(fā)達國家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學(xué)鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎完全依賴進口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責(zé)任,將為了應(yīng)對我國在集成電路領(lǐng)域，尤其是光刻技術(shù)方面嚴重落后于發(fā)達國家的局

以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相關(guān)合金）是極為重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，這類氮化物材料和器件的發(fā)展十分迅速。本書通過理論介紹與具體實驗范例相結(jié)合的方式對氮化物半導(dǎo)體材料及器件進行介紹，并系統(tǒng)地講解了目前廣泛應(yīng)用的氮化物光電器件與氮化物電力電子器件，使讀者能夠充分了解二者之間內(nèi)在的聯(lián)系與區(qū)