本書系統(tǒng)論述先進(jìn)電子SMT制造技術(shù)與技能，并介紹了非常便于教學(xué)的"SMT專業(yè)技術(shù)資格認(rèn)證培訓(xùn)和考評平臺AutoSMT-VM2.1”上實訓(xùn)的方法步驟，以及SMT專業(yè)技術(shù)資格認(rèn)證考試方法，將理論、實踐技能和認(rèn)證考試進(jìn)行了有機(jī)整合和詳細(xì)論述，使學(xué)員很好地掌握現(xiàn)代化先進(jìn)電子SMT制造技術(shù)。全書介紹SMT基礎(chǔ)、PCB設(shè)計、SMT

本書介紹了激光與熔石英窗口作用的研究進(jìn)展和物理機(jī)制，以及作者近年來在激光誘導(dǎo)1064nm增透熔石英窗口的損傷研究領(lǐng)域取得的一些研究成果，包括激光誘導(dǎo)熔石英窗口損傷過程建模、激光與熔石英窗口相互作用過程仿真、在線系統(tǒng)測試1064nm增透熔石英窗口損傷演化過程、離線系統(tǒng)測量1064nm增透熔石英窗口損傷特性，同時也對激光誘

《非晶Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運研究》采取非熱平衡制備條件，利用磁控濺射的方法在純氬氣（Ar）以及氬氫（Ar；H）混合氣體中，制備了高FeCo摻雜含量的非晶Ge基磁性半導(dǎo)體（FeCo）xCe1-x薄膜以及（FeCo）xGe1-x/Ge異質(zhì)結(jié)，從磁特性和電輸運特性的角度進(jìn)行了研究�！斗蔷�Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運

本書是作者長期從事直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結(jié)。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長設(shè)備及關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，介紹直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設(shè)置、熱系統(tǒng)設(shè)計與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場耦合作用對晶體生長的影響，并給出關(guān)鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結(jié)合變量檢測、智能優(yōu)化及

本書對復(fù)雜的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)智能調(diào)度問題從理論到方法再到應(yīng)用,進(jìn)行了系統(tǒng)論述。主要內(nèi)容包括數(shù)據(jù)驅(qū)動的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)調(diào)度框架、半導(dǎo)體制造系統(tǒng)數(shù)據(jù)預(yù)處理的方法、半導(dǎo)體生產(chǎn)線性能指標(biāo)相關(guān)性分析、智能化投料控制策略、一種模擬信息素機(jī)制的動態(tài)派工規(guī)則、基于負(fù)載均衡的半導(dǎo)體生產(chǎn)線的動態(tài)調(diào)度和性能指標(biāo)驅(qū)動的半導(dǎo)體生產(chǎn)線動態(tài)調(diào)度方法、大

有機(jī)光功能材料與器件在信息、工業(yè)、國防、醫(yī)療等各個行業(yè)都有重要的應(yīng)用，是未來光子發(fā)展以及國際高技術(shù)競爭的重要陣地。本書重點介紹了有機(jī)光功能材料及其在激光器件方面的應(yīng)用，從光功能材料的發(fā)光機(jī)理、激發(fā)態(tài)過程及激光基礎(chǔ)理論出發(fā)，討論有機(jī)微納激光發(fā)展現(xiàn)狀和未來的激光顯示應(yīng)用。

本書以作者及其研究團(tuán)隊多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管的材料外延、芯片制作、器件封裝和系統(tǒng)應(yīng)用，內(nèi)容集學(xué)術(shù)性與實用性為一體。全書共12章，內(nèi)容包括：Ⅲ族氮化物L(fēng)ED的基本原理、材料性質(zhì)及外延生長理論，InGaN/GaN多量子阱材料及藍(lán)、綠光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮

本書共分為6章：第1章是關(guān)于AlX(X=N,P,As)化合物的研究進(jìn)展的專題介紹，引出了現(xiàn)階段AlX(X=N,P,As)化合物的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。第二章以實驗上已有AlX(X=N,P,As)化合物物相為對象，開展AlX(X=N,P,As)化合物的性質(zhì)研究及對比分析，闡明組分改變對相同結(jié)構(gòu)的AlX化合物的性質(zhì)影響規(guī)律。第三章中

本書首先對不同類型的IGBT工作原理進(jìn)行了介紹，然后從IGBT的結(jié)構(gòu)出發(fā)，給出了IGBT中MOS結(jié)構(gòu)和雙極型結(jié)構(gòu)的工作原理，接下來詳細(xì)說明了它們?nèi)绾斡绊慖GBT的正向傳導(dǎo)特性，詳細(xì)研究了IGBT模型，包括靜態(tài)、動態(tài)和電熱行為，討論了IGBT中的閂鎖效應(yīng)，以及預(yù)防閂鎖的詳細(xì)處理方法。借助計算機(jī)輔助設(shè)計工具深入研究了IGB

《晶體管非線性模型參數(shù)提取技術(shù)》旨在對晶體管模型參數(shù)提取提供全面的概述：一方面，基本前提是參數(shù)提取與建立基于物理模型本身同等重要；另一方面，即使對不同的技術(shù)，提取方法也往往基于同樣的想法和假設(shè)；因此，《晶體管非線性模型參數(shù)提取技術(shù)》的目的是給出一個較為寬泛的想法，聚焦于一個主題和概念，而非限定在某一特定的晶體管類型�！�