第1章 紅外探測技術發(fā)展的基本內涵
1.1 紅外探測技術簡介
1.2 紅外探測器的研究背景
1.2.1 紅外材料的基本性質
1.2.2 紅外探測器的研究現(xiàn)狀
1.3 紅外探測技術的發(fā)展前沿
1.3.1 掃描激光束誘導電流檢測法
1.3.2 紅外雪崩探測技術
1.3.3 長波及高溫工作紅外探測技術
1.4 紅外探測載流子輸運主要內容和基本框架
1.4.1 主要內容
1.4.2 基本框架
1.5 本章小結
參考文獻
第2章 紅外探測器的基本理論與模擬仿真方法
2.1 紅外探測器漏電流的基本理論
2.1.1 擴散電流
2.1.2 產生-復合電流
2.1.3 隧穿電流
2.1.4 碰撞激化電離電流
2.1.5 表面漏電流
2.2 器件仿真模型及方法
2.2.1 解析模型方法
2.2.2 數(shù)值仿真方法
2.2.3 解析與數(shù)值模型聯(lián)合仿真方法
2.3 本章小結
參考文獻
第3章 基于解析模型的紅外探測器暗電流特性分析
3.1 基于解析模型提取特征參數(shù)的基本方法
3.2 長波 HgCdTe 紅外探測器變溫暗電流特性
3.3 中波 HgCdTe 紅外探測器退火暗電流特性
3.4 Si 基 HgCdTe 紅外探測器暗電流特性
3.5 As 摻雜 HgCdTe 紅外探測器暗電流特性
3.6 本章小結
參考文獻
第4章 紅外探測器的激光束誘導電流譜表征方法
4.1 LBIC的基本原理
4.2 高精度LBIC平臺的搭建方法
4.3 LBIC的物理模型和數(shù)值仿真
4.4 LBIC對紅外器件特征參數(shù)的表征
4.4.1 LBIC提取結區(qū)深度和長度
4.4.2 LBIC提取少子擴散長度
4.4.3 結區(qū)局域漏電表征
4.4.4 掃描光電流譜表征二維材料納米器件
4.5 LBIC對HgCdTe光伏器件性能的表征和研究
4.5.1 離子注入成結的中波HgCdTe光伏器件研究
4.5.2 脈沖激光打孔成結的HgCdTe光伏器件研究
4.6 本章小結
參考文獻
第5章 紅外電子雪崩器件的載流子輸運與雪崩機制研究
5.1 HgCdTe電子雪崩器件的基本原理、理論模擬和結構優(yōu)化
5.1.1 基本原理
5.1.2 理論模擬和結構優(yōu)化
5.2 平面p-i-n型HgCdTe雪崩器件實驗結果和分析
5.2.1 實驗結果
5.2.2 結果分析
5.3 InGaAs/InP短波紅外雪崩器件暗電流機制與光電響應特性
5.3.1 器件結構和物理模型
5.3.2 SAGCM型InGaAs/InP雪崩器件主導暗電流機制
5.3.3 結構參數(shù)對SAGCM型器件貫穿和擊穿電壓的影響
5.3.4 p-i-n型InP/InGaAs/InP雪崩器件光響應特性研究
5.4 新型金屬-絕緣體 -金屬結構雪崩紅外探測技術
5.5 本章小結
參考文獻
第6章 基于能帶工程的高性能長波HgCdTe器件研究
6.1 長波 HgCdTe器件的研究背景
6.2 長波 HgCdTe器件的電學特性與微觀機理研究
6.2.1 變溫和變面積的電學特性測試及分析
6.2.2 長波陣列器件的表面漏電與非均勻性研究
6.3 基于能帶工程PBπn型長波器件的設計和機理研究
6.3.1 PBπn型長波器件的設計與仿真方法
6.3.2 理論模擬與實驗結果討論
6.4 本章小結
參考文獻
第7章 表面等離子體激元場增強和高溫工作紅外探測技術
7.1 表面等離子體激元場增強紅外光吸收
7.1.1 表面等離子體激元簡介
7.1.2 金屬光柵表面等離子體激元場增強紅外探測技術
7.2 高溫工作紅外探測器研究
7.2.1 高溫工作紅外探測器簡介
7.2.2 InAsSb/InGaAs nBn型高溫紅外探測器
7.2.3 HgCdTe NBvN型高溫紅外探測器
7.2.4 量子級聯(lián)紅外探測器
7.2.5 基于二維材料的室溫紅外探測器
7.3 本章小結
參考文獻