《信息科學技術學術著作叢書：硅通孔3D集成技術》系統(tǒng)討論用于電子、光電子和MEMS器件的三維集成硅通孔（TSV）技術的最新進展和未來可能的演變趨勢，同時詳盡討論三維集成關鍵技術中存在的主要工藝問題和可能的解決方案。通過介紹半導體工業(yè)中的納米技術和三維集成技術的起源和演變歷史，結合當前三維集成關鍵技術的發(fā)展重點討論

本書主要講解了晶硅硅片加工工藝，主要包括單晶硅棒截斷、單晶硅棒與多晶硅錠開方、單晶硅塊磨面與滾圓、多晶硅塊磨面與倒角，多線切割、硅片清洗、硅片檢測與包裝等。本書根據硅片生產工藝流程，采用任務驅動、項目訓練的方法組織教學，以側重實踐操作技能為原則，注重實踐與理論的緊密結合，以職業(yè)崗位能力為主線突出應用性和實踐性。本書適合

納米半導體具有常規(guī)半導體無法媲美的奇異特性和非凡的特殊功能，在信息、能源、環(huán)境、傳感器、生物等諸多領域具有空前的應用前景，成為新興納米產業(yè)，如納米信息產業(yè)、納米環(huán)保產業(yè)、納米能源產業(yè)、納米傳感器以及納米生物技術產業(yè)等高速發(fā)展的源泉與動力�！都{米半導體材料與器件》力求以最新內容，全面、系統(tǒng)闡述納米半導體特殊性能及其在信息

楊樹人、王宗昌、王兢編寫的這本《半導體材料(第3版)》是為大學本科與半導體相關的專業(yè)編寫的教材，介紹了主要半導體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物

《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法，重點介紹了半導體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關氮化物材料。全書共14章，內容包括：氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理，HEMT材料的電學性質，AlGaN/GaN和InAlN/

本書主要以異質結雙晶體管、高電子遷移率晶體管、共振遂穿電子器件、單電子輸運器件、量子結構激光器、量子結構紅外探測器和量子結構太陽電池為主,比較系統(tǒng)地分析與討論了它們的工作原理與器件特性,并對自旋電子器件、單分子器件和量子計算機等內容進行了簡單介紹。

《有機電子學》從有機電子學的角度，深入淺出地概括總結了有機電子材料中的電子結構與過程，并以此解釋了有機固體凝聚態(tài)的各種性質。這些性質對實際應用中的有機光電器件的行為起決定性的作用�；�于對理論的理解，《有機電子學》緊接著介紹了有機材料性質的測試表征手段以及有機薄膜的制備手段。同時將理論與實踐相結合，書中相繼介紹和討論了有

《半導體器件原理簡明教程》力圖用最簡明、準確的語言，介紹典型半導體器件的核心知識，主要包括半導體物理基礎、pn結、雙極型晶體管、場效應晶體管、金屬-半導體接觸和異質結、半導體光電子器件�！栋雽�體器件原理簡明教程》在闡明基本結構和工作原理的基礎上，還介紹了微電子領域的一些新技術，如應變異質結、能帶工程、量子阱激光器等。《

《半導體器件物理學習與考研指導》是普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材《半導體器件物理（第二版）》（孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著）的配套教學輔導資料。全書共分為11章，內容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬一半導體結、結型場效應晶體管和金屬一半導體場效應晶體管、金屬一氧化物一半導體場效應晶體管、電荷轉移

本書的主要內容包括：高分辨X射線衍射，光學性質檢測分析，表面和薄膜成分分析，掃描探針顯微學在半導體中的運用，透射電子顯微學及其在半導體研究中的應用，半導體深中心的表征。以上內容包括了目前半導體材料（第三代半導體和低維結構半導體材料）物理表征的實驗技術和具體應用成果。限于篇幅，不能面面俱到，所以有些實驗技術，如LEED，