半導體光電子學是研究半導體光子和光電子器件的學科，涉及各種半導體光電子器件的物理概念、工作原理及制作技術，在能源、顯示、傳感和通信等領域都擁有廣泛的應用。《BR》本書主要包括半導體材料基本性質、半導體光電子器件基本結構、載流子注入與速率方程、半導體激光器基本理論、光信號調制、半導體光電探測器、太陽能光熱與光伏、半導體光

本書介紹了主要半導體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體；第9章為Ⅱ

本書內容主要基于紅外焦平面陣列探測器領域取得的成果，并系統(tǒng)介紹了紅外焦平面陣列探測器的設計理論及制造過程。本書分別介紹了非制冷型和制冷型兩大類紅外焦平面陣列探測器，主要具體內容為：碲鎘汞和超晶格等熱敏材料制備；金屬、陶瓷、晶圓和像素級四類封裝工藝；線性、旋轉式等多種斯科特式制冷技術與器件；涉及各類核心器件性能的高精度檢

本書以無線接入技術的基礎知識為切入點，建立無線接入技術與頻譜規(guī)劃之間的聯(lián)系，圍繞技術、產(chǎn)業(yè)和應用三大核心要素，結合具體實際案例，闡述寬帶集群基礎知識、應用轉化的場景和行業(yè)、產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢；深入淺出地解析增強型長期演進技術（enhancedLongTermEvolution，eLTE）集群寬帶系統(tǒng)的物理層結構，包括頻

本書旨在幫助初級階段的學生進一步學習網(wǎng)絡技術的常用協(xié)議和對應的配置方法。 本書的結構為先交換后路由。本書首先介紹交換網(wǎng)絡的基礎知識，然后介紹VLAN和STP這兩種網(wǎng)絡中常用的技術和協(xié)議，最后詳細介紹路由技術。路由是網(wǎng)絡中必不可少的關鍵技術，因此，本書還介紹了網(wǎng)絡中常用的協(xié)議，并展示了相應的配置命令和代碼。此外，本書根據(jù)

本書首先以時間為順序分析了網(wǎng)絡協(xié)議各個階段的代表性技術及發(fā)展概況，結合TCP/IP的設計原理和技術分析其設計原由及演變方向，從目前有代表性的互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議角度，分別介紹了目前IP協(xié)議的發(fā)展方向以及各個方向維度的發(fā)展現(xiàn)狀和技術進展情況，以及其發(fā)展過程中面臨的問題。后從需求角度、技術能力發(fā)展和過渡演變趨勢3個角度，重點介紹了面

散射光場信息的獲取和解譯，尤其是散射光場中偏振信息的獲取、傳遞和解譯是近年來國內外研究的熱點之一，其所攜帶的獨立于強度、相位和頻譜的獨立特性，使其在諸多領域都具有極高的應用價值。本書首次系統(tǒng)地從散射光場中偏振特性的產(chǎn)生、傳輸和利用全鏈路地進行全面分析和描述，同時也分析了散射光場中偏振信息提取和利用時應考慮的主要影響因素

本書重點介紹微電子制造工藝技術的基本原理、途徑、集成方法與設備。主要內容包括集成電路制造工藝、相關設備、新原理技術及工藝集成。本書力求讓學生在了解集成電路制作基本原理與方法的基礎上，緊密地聯(lián)系生產(chǎn)實際，方便地理解這些原本復雜的工藝和流程，從而系統(tǒng)掌握半導體集成電路制造技術。本書內容由淺入深，理論聯(lián)系實際，突出應用和基本

全書較為系統(tǒng)地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機理及其可靠性建模與測評等，既有理論原理、仿真分析、又有實驗測試等。全書內容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設計優(yōu)化和測試奠定理論基礎；同時也為實現(xiàn)柔直裝備安全運行的狀態(tài)評估和主動運維提供技術支撐，從而進一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統(tǒng)安全。

隨著數(shù)字通信技術的發(fā)展和普及,組合數(shù)字（包括圖論）、數(shù)論和代數(shù)學成為信息領域的重要數(shù)學工具。本書在第一部分通俗地介紹經(jīng)典代數(shù)數(shù)論基本知識,內容包括代數(shù)數(shù)域和它的代數(shù)整數(shù)環(huán)、理想的素理想因子分解、理想類群和類數(shù)、局部數(shù)域理論,以及高斯和與雅可比和的計算。在第二部分講述代數(shù)數(shù)論在通信領域的一些應用,內容包括組合設計、糾錯碼