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本書是作者從事電子制造40年來有關(guān)單板互連可靠性方面的經(jīng)驗總結(jié),討論了單板常見的失效模式、典型失效場景以及如何設(shè)計與制造高可靠性產(chǎn)品的廣泛問題，并通過大量篇幅重點討論了焊點的斷裂失效現(xiàn)象及裂紋特征。全書內(nèi)容共4個部分，第一部分為焊點失效機理與裂紋特征，詳細介紹焊點的失效模式、失效機理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為

《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分?jǐn)M通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、

本書講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點等；將功率器件測試分為特性測試、極限能力測試、高溫可靠性測試、電應(yīng)力可靠性測試和壽命測試等，并詳細介紹了測試標(biāo)準(zhǔn)、方法和原理，同步分析了測試設(shè)備和數(shù)據(jù)

集成電路與等離子體裝備

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復(fù)雜。《彈性半導(dǎo)體的多場耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場耦合問題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（

目前以有機/聚合物和半導(dǎo)體量子點為代表的新型電致發(fā)光材料與器件受到了國內(nèi)外眾多企業(yè)和人士的廣泛關(guān)注。本書從新型電致發(fā)光材料與器件原理，以及關(guān)鍵材料的開發(fā)與應(yīng)用技術(shù)出發(fā)，內(nèi)容涵蓋有機電致發(fā)光概念與過程、有機電致發(fā)光材料、有機電致發(fā)光器件、半導(dǎo)體量子點材料、半導(dǎo)體量子點電致發(fā)光器件、鹵素鈣鈦礦材料及其電致發(fā)光器件等。全書反

本書基于當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)制造過程中存在的問題，介紹了多種改進的批間控制和過程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導(dǎo)體制造過程概述，包括國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過程監(jiān)控。第4～7章討論機臺干擾、故障、度量時延對系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變

本書以工程應(yīng)用為目標(biāo)，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及最新應(yīng)用問題，以圖文并茂的形式，介紹了焊接的基礎(chǔ)原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來的可靠性問題。全書結(jié)合內(nèi)容需求，編入了幾十個經(jīng)典案例，這些案例非常典型，不僅有助于讀者深入理解有關(guān)工藝的概念和原理，也可作為類似不良

本書系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學(xué)方法、動力學(xué)蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學(xué)性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應(yīng)用，揭示了典型半導(dǎo)

本書全面闡述了半導(dǎo)體刻蝕加工及金屬輔助化學(xué)刻蝕加工原理與工藝，詳細講述了硅折點納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對第三代半導(dǎo)體碳化硅的電場和金屬輔助化學(xué)刻蝕復(fù)合加工、第三代半導(dǎo)體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場和濕法刻蝕復(fù)合加工工藝進行了詳細論述。

傳感器是信息獲取的源頭，位于信息技術(shù)鏈條的最前端。本書從氣體傳感器的應(yīng)用領(lǐng)域和系統(tǒng)分類出發(fā)，重點圍繞基于混成電位原理的固體電解質(zhì)氣體傳感器的研究進展、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢進行介紹。本書主要內(nèi)容包括固體電解質(zhì)氣體傳感器的種類和特點、釔穩(wěn)定氧化鋯基混成電位型氣體傳感器的混成電位原理、增感策略、高效三相界面構(gòu)筑、其他增感策略以

超結(jié)是功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的創(chuàng)新的耐壓層結(jié)構(gòu)之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結(jié)型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導(dǎo)通電阻和耐壓之間的硅極限關(guān)系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關(guān)系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關(guān)系，被譽為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的里程碑。本書概述了功率半導(dǎo)體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結(jié)器件研

單片智能功率芯片是一種功能與結(jié)構(gòu)高度集成化的高低壓兼容芯片，其內(nèi)部集成了高壓功率器件、高低壓轉(zhuǎn)換電路及低壓邏輯控制電路等，高壓厚膜SOI基橫向IGBT器件（高壓厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作開關(guān)器件，是該芯片中的核心器件，其性能直接決定了芯片的可靠性和功耗。本書共7章：介紹了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原

本書主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結(jié)構(gòu)的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了理論和實驗基礎(chǔ)。

本書以著名光子學(xué)家郭光燦院士指出的“書乃明理于本始，惠澤于世人……探微索隱，刻意研精，識其真要，奉獻讀者”為旨要，以12章成體，以激光單元技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)為用。首先對各種單元技術(shù)結(jié)構(gòu)特點、運轉(zhuǎn)機理等基礎(chǔ)知識進行介紹；然后分別介紹激光調(diào)制、偏轉(zhuǎn)、調(diào)Q、超短脈沖、放大、橫模選取、縱模選取、穩(wěn)頻、非線性光學(xué)、激光微束等技術(shù)，其

本書根據(jù)國內(nèi)外近十幾年來氧化物半導(dǎo)體TiO2和WO3的氧空位調(diào)控及其光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)特性的研究進展，結(jié)合作者的研究成果撰寫而成，系統(tǒng)地介紹了采用離子注入、水熱法和真空退火等技術(shù)方法，通過對TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、濃度的調(diào)控，進而實現(xiàn)對光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)的調(diào)制，獲得更為理想的鐵磁性能和表面增強拉曼光譜性能。本

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本書介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

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