本書內(nèi)容講述：經(jīng)典半導(dǎo)體制備及器件光刻工藝通常受制于價格高昂的設(shè)備、繁瑣冗長的制程及嚴(yán)重水電消耗。液態(tài)金屬印刷半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)，以一種自下而上的全新方式實現(xiàn)了對Ga2O3、GaN等第三代、第四代以及更多類型半導(dǎo)體的大面積低成本印制，由此可快速構(gòu)筑二極管、三極管、晶體管乃至集成電路和功能芯片，這一模式打破了傳統(tǒng)半導(dǎo)體制造

超結(jié)是功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的創(chuàng)新的耐壓層結(jié)構(gòu)之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結(jié)型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導(dǎo)通電阻和耐壓之間的硅極限關(guān)系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關(guān)系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關(guān)系，被譽為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的里程碑。本書概述了功率半導(dǎo)體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結(jié)器件研

單片智能功率芯片是一種功能與結(jié)構(gòu)高度集成化的高低壓兼容芯片，其內(nèi)部集成了高壓功率器件、高低壓轉(zhuǎn)換電路及低壓邏輯控制電路等，高壓厚膜SOI基橫向IGBT器件（高壓厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作開關(guān)器件，是該芯片中的核心器件，其性能直接決定了芯片的可靠性和功耗。本書共7章：介紹了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原

本書主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結(jié)構(gòu)的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了理論和實驗基礎(chǔ)。

本書以著名光子學(xué)家郭光燦院士指出的“書乃明理于本始，惠澤于世人……探微索隱，刻意研精，識其真要，奉獻(xiàn)讀者”為旨要，以12章成體，以激光單元技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)為用。首先對各種單元技術(shù)結(jié)構(gòu)特點、運轉(zhuǎn)機理等基礎(chǔ)知識進行介紹；然后分別介紹激光調(diào)制、偏轉(zhuǎn)、調(diào)Q、超短脈沖、放大、橫模選取、縱模選取、穩(wěn)頻、非線性光學(xué)、激光微束等技術(shù)，其

本書是一本關(guān)于可調(diào)諧二極管激光吸收光譜和波長調(diào)制光譜技術(shù)有機結(jié)合的根本原理及應(yīng)用研究著作，全面系統(tǒng)地闡述可調(diào)諧二極管激光吸收光譜和波長調(diào)制光譜技術(shù)的理論體系，重點凸顯了技術(shù)體系中所涉及的光路與電路設(shè)計方法。全書內(nèi)容涵蓋了紅外吸收光譜的基礎(chǔ)理論、波長調(diào)制光譜的基礎(chǔ)理論、波長調(diào)制光譜技術(shù)的光路結(jié)構(gòu)設(shè)計、硬件電路結(jié)構(gòu)設(shè)計以及

本書內(nèi)容包括4部分。第1部分介紹功率半導(dǎo)體器件的分類及發(fā)展歷程，主要包括功率半導(dǎo)體器件這個“大家族”的主要成員及各自的特點和發(fā)展歷程。第2部分介紹功率二極管，在傳統(tǒng)的功率二極管（肖特基二極管和PiN二極管）的基礎(chǔ)上，增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內(nèi)容。第3部分介紹功率開關(guān)器件，主要分為傳統(tǒng)開關(guān)

硅通孔垂直互連技術(shù)是實現(xiàn)三維集成電路與微系統(tǒng)的關(guān)鍵核心技術(shù)。硅通孔可以有效縮短芯片間的互連距離，提高互連密度，從而實現(xiàn)更大的帶寬、更低的功耗和更小的尺寸。本書以作者多年來在垂直硅通孔結(jié)構(gòu)、模型、制造工藝等方面的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)全面地介紹硅通孔制備過程中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，是一本講述基于硅工藝的三維垂直互連技術(shù)的專著。此

本書系統(tǒng)介紹宇航MOSFET器件的單粒子效應(yīng)機理和加固技術(shù)。全書共6章，主要內(nèi)容包括空間輻射環(huán)境與基本輻射效應(yīng)、宇航MOSFET器件的空間輻射效應(yīng)及損傷模型、宇航MOSFET器件抗單粒子輻射加固技術(shù)、宇航MOSFET器件測試技術(shù)與輻照試驗，并以一款宇航VDMOS器件為實例，詳述了抗單粒子加固樣品的結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝細(xì)節(jié)

本書共6章,包括緒論、氮化物材料MOCVD生長技術(shù)、氮化鎵微波功率器件技術(shù)、微波功率器件新型工藝、微波功率器件建模技術(shù)、新型氮化鎵微波功率器件。