氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場強，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系，且當前對大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實驗創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

IGCT具有通態(tài)壓降低、容量大、可靠性高、魯棒性好等有點，目前已應(yīng)用在直流斷路器、模塊化多電平變換器、牽引系統(tǒng)變換器等應(yīng)用場景。本書圍繞IGCT器件，分別展開介紹半導體物理基礎(chǔ)及工作原理、阻斷特性、開通與導通特性、關(guān)斷特性、封裝、驅(qū)動、可靠性及應(yīng)用。同時，在各章中穿插IGCT的關(guān)鍵工藝技術(shù)，如深結(jié)推進、邊緣終端、質(zhì)子輻

本書是一本微電子技術(shù)方面的入門書籍，全面介紹了半導體器件的基礎(chǔ)知識。全書分為三個部分共19章，首先介紹了半導體基礎(chǔ)，講解了半導體物理方面的相關(guān)知識以及半導體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結(jié)、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和其他結(jié)型器件的基本物理特性，并給出了相關(guān)特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場效應(yīng)器件，除了講

本書提供了在各個工藝及系統(tǒng)層次的半導體存儲器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲應(yīng)用之后，本書重點介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、非易失性存儲器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲器

。本冊為《半導體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學制備與提純、半導體材料的生長、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設(shè)備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

本書系統(tǒng)總結(jié)具有電子相變特性的過渡族化合物半導體材料體系，詳細介紹其晶體結(jié)構(gòu)、電輸運與磁性、電子相轉(zhuǎn)變原理、材料合成與潛在應(yīng)用等。全書共12章，其中第1章總述現(xiàn)有電子相變材料體系以及常見電子相變原理。由于具有相同的價電子數(shù)的過渡族元素的化合物中的軌道構(gòu)型具有一定相近性，第2～11章將進一步按照副族周期元素對三十余種電子

第一章介紹了光子計算機發(fā)展的歷史以及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的概念。第二章重點介紹了物理儲層計算的原理，以及一些與光子計算相關(guān)的重要概念——品質(zhì)因數(shù)、拓撲網(wǎng)絡(luò)、線性和非線性記憶容量。第三章介紹了儲層集成的最新技術(shù)，主要集中在被動架構(gòu)的實現(xiàn)，以及如何通過光電探測器實現(xiàn)非線性變換的原理。第四章介紹了大規(guī)模光子儲層的潛力，重點討論了幾種可以

本書共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義，著重分析了GaN材料的性質(zhì)和Si基GaN外延材料與芯片制備的發(fā)展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長機理出發(fā)，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點、一維GaN納米線和二維GaN生長所面臨的技術(shù)難點及對應(yīng)的生長技術(shù)調(diào)控手段。第3～7章依次介紹了Si基Ga

本教程在簡要介紹MOSFET場效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，全面敘述了MOSFET基本電學特性和二階效應(yīng)；介紹了MOSFET器件模型及建模測試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導體器件SPICE模型建模平臺EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介

本書主要介紹薄膜晶體管（TFT）集成電路技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)知識和作者在該領(lǐng)域的代表性研究成果。內(nèi)容涵蓋圖像顯示和圖像傳感器件所需的TFT集成電路技術(shù)，如像素TFT電路、行驅(qū)動（掃描）TFT電路以及列（數(shù)據(jù)）驅(qū)動TFT電路等。全書共5章，分別為：薄膜晶體管（TFT）概述，有源矩陣液晶顯示（AMLCD）TFT電路，有源矩陣有機