GaN基寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有很高的應(yīng)用價值，是發(fā)展高頻、高功率電子器件*優(yōu)選的半導(dǎo)體材料。本書基于國內(nèi)外GaN基電子材料和器件的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢，從晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件研制等方面詳細論述了GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)和二維電子氣的物理性質(zhì)、國內(nèi)外發(fā)展動態(tài)、面臨的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題

光刻機像質(zhì)檢測技術(shù)是支撐光刻機整機與分系統(tǒng)滿足光刻機分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機像質(zhì)檢測技術(shù)。介紹了國際主流的光刻機像質(zhì)檢測技術(shù)，詳細介紹了本團隊提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術(shù)，包括初級像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測技

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本書共7章，主要介紹了改性鍺半導(dǎo)體物理的相關(guān)內(nèi)容，包括Ge帶隙類型轉(zhuǎn)變理論、改性鍺半導(dǎo)體能帶與遷移率理論、改性鍺能帶調(diào)制理論、改性鍺半導(dǎo)體光學(xué)特性理論以及改性鍺MOS反型層能帶與遷移率理論等。通過本書的學(xué)習(xí)，可為讀者以后學(xué)習(xí)改性鍺器件物理奠定重要的理論基礎(chǔ)。本書可作為高等院校微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)研究生的參考書，也可

本書研究MCSH結(jié)構(gòu)中電子波矢過濾、磁阻與巨磁阻、電子自旋過濾等重要量子效應(yīng)，包括量子調(diào)控及其可能電子器件應(yīng)用。全書由四章組成。第一章緒論，簡單介紹MCSH結(jié)構(gòu)，以及研究MCSH結(jié)構(gòu)中電子輸運的改進轉(zhuǎn)移矩陣方法和Landauer-Büttiker微結(jié)構(gòu)電導(dǎo)理論。第二章關(guān)于MCSH結(jié)構(gòu)中電子波矢過濾效應(yīng)、調(diào)控及其在電子動

本書重點介紹全球功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展潮流中的寬禁帶功率半導(dǎo)體封裝的基本原理和器件可靠性評價技術(shù)。書中以封裝為核心，由熟悉各個領(lǐng)域前沿的專家詳細解釋當(dāng)前的狀況和問題。主要章節(jié)為寬禁帶功率半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和封裝、模塊結(jié)構(gòu)和可靠性問題、引線鍵合技術(shù)、芯片貼裝技術(shù)、模塑樹脂技術(shù)、絕緣基板技術(shù)、冷卻散熱技術(shù)、可靠性評估和檢查技術(shù)等。盡

本書共4章，第1章介紹了有機發(fā)光二極管和有機場效應(yīng)管晶體管的基礎(chǔ)知識。第2章對儀器的工作原理和使用方法進行講解和說明。第3章包括六個實驗。第4章包括兩個綜合實驗。

本書內(nèi)容包括PROTEUS軟件的基本操作、模擬和數(shù)字電路的分析方法、單片機電路的軟硬件調(diào)試、Intel8086微處理器的軟硬件調(diào)試、DSP的軟硬件調(diào)試和PCB設(shè)計方法。本書亮點可視化設(shè)計、物聯(lián)網(wǎng)項目的設(shè)計開發(fā)，以及PCB設(shè)計等內(nèi)容。為了便于讀者學(xué)習(xí)，本書電子資料提供與書中

本書系統(tǒng)論述先進電子SMT制造技術(shù)與技能，并介紹了非常便于教學(xué)的"SMT專業(yè)技術(shù)資格認(rèn)證培訓(xùn)和考評平臺AutoSMT-VM2.1”上實訓(xùn)的方法步驟，以及SMT專業(yè)技術(shù)資格認(rèn)證考試方法，將理論、實踐技能和認(rèn)證考試進行了有機整合和詳細論述，使學(xué)員很好地掌握現(xiàn)代化先進電子SMT制造技術(shù)。全書介紹SMT基礎(chǔ)、PCB設(shè)計、SMT

本書介紹了激光與熔石英窗口作用的研究進展和物理機制，以及作者近年來在激光誘導(dǎo)1064nm增透熔石英窗口的損傷研究領(lǐng)域取得的一些研究成果，包括激光誘導(dǎo)熔石英窗口損傷過程建模、激光與熔石英窗口相互作用過程仿真、在線系統(tǒng)測試1064nm增透熔石英窗口損傷演化過程、離線系統(tǒng)測量1064nm增透熔石英窗口損傷特性，同時也對激光誘